Băng keo UV dicing cho cắt wafer

Băng keo UV dicing giữ chắc wafer trong quá trình cắt bằng lưỡi dao hoặc laser, sau đó giảm mạnh lực bám khi chiếu tia UV để máy nhặt chip lấy ra dễ dàng, không gây nứt mẻ hay sót keo.

Cắt wafer là bước chia tấm silicon thành hàng trăm đến hàng nghìn chip riêng lẻ. Trong lúc cắt, lưỡi dao quay hàng chục nghìn vòng mỗi phút, nước làm mát phun liên tục. Chip nhỏ phải được giữ cố định tuyệt đối. Nhưng sau đó, chính lực giữ mạnh ấy lại cản trở việc nhặt chip. Băng keo UV giải quyết mâu thuẫn này.

Xu hướng wafer mỏng và chip kích thước nhỏ trong cảm biến, chip nguồn và linh kiện RF khiến yêu cầu với băng keo dicing ngày càng khắt khe.

Cơ chế giảm lực bám bằng UV

Lớp keo acrylic của băng chứa các nhóm có khả năng phản ứng dưới tia UV. Khi chiếu UV từ mặt sau băng, keo liên kết ngang, trở nên cứng hơn và mất tính dính. Lực bóc có thể giảm từ 5–10 N/25 mm xuống dưới 0,2 N/25 mm.

So sánh băng keo UV và băng keo thường

Lựa chọn thông số băng keo

Lớp nền

Lớp nền polyolefin hoặc PVC phải truyền UV tốt và giãn đều khi máy kéo băng tách khoảng cách giữa các chip. Độ dày thường 80–150 micron.

Lực bám ban đầu

Chip càng nhỏ, cần lực bám ban đầu càng cao để tránh chip bay khi cắt. Với chip dưới 1 mm, nên chọn dòng lực bám cao.

Độ nhạy UV

Liều chiếu thường 150–500 mJ/cm². Đèn UV cần đều trên toàn bộ diện tích khung wafer.

Hiện tượng chip bay khi cắt hoặc chip không nhặt được thường bắt nguồn từ việc thời gian giữa dán băng và chiếu UV chưa được kiểm soát. Lực bám của keo thay đổi theo thời gian chờ. — Kỹ sư quy trình bán dẫn, AMS Việt Nam

• Bảo quản băng tránh ánh sáng, nhiệt độ dưới 25°C.
• Dán băng không bọt khí, kiểm tra bằng mắt sau dán.
• Chiếu UV trong thời gian khuyến cáo sau khi cắt.

Với wafer mỏng dưới 100 micron, nên kết hợp băng keo dicing có lớp nền mềm và thông số cắt tốc độ thấp hơn để hạn chế nứt mẻ cạnh chip ở mặt sau.

AMS cung cấp băng keo UV dicing và băng keo mài mặt sau wafer. Liên hệ AMS Việt Nam để nhận mẫu thử.