Lấp khe hở giữa linh kiện phát nhiệt và tản nhiệt, vỏ máy trong bộ nguồn, biến tần, mô-đun pin, đèn LED và điện tử ô tô
Dẫn nhiệt 1,5–6 W/m·K / Dày 0,5–5 mm / Độ cứng 30–60 Shore 00 / Đánh thủng trên 6 kV/mm / Chống cháy UL 94 V-0
Nơi khô mát, giữ nguyên màng bảo vệ đến khi lắp
Bergquist Tấm tản nhiệt silicone là vật liệu giao diện nhiệt dạng tấm mềm, gồm nền silicone độn hạt gốm dẫn nhiệt, dùng để lấp đầy khe hở giữa linh kiện và bộ tản nhiệt. Nhờ độ mềm cao, tấm ôm sát các bề mặt có dung sai chiều cao khác nhau mà không tạo ứng suất lớn lên linh kiện, đồng thời đảm bảo cách điện giữa linh kiện và vỏ kim loại.
| Chỉ tiêu | Giá trị |
|---|---|
| Độ dẫn nhiệt | 1,5–6 W/m·K |
| Độ dày tiêu chuẩn | 0,5–5 mm |
| Độ cứng | 30–60 Shore 00 |
| Điện áp đánh thủng | trên 6 kV/mm |
| Nhiệt độ làm việc | -60 đến 200 °C |
| Cấp chống cháy | UL 94 V-0 |
Chọn độ dày tấm lớn hơn khe hở thực tế khoảng 10–20% để đạt độ nén phù hợp. Gỡ màng bảo vệ một mặt, đặt tấm lên linh kiện, sau đó gỡ mặt còn lại rồi lắp tản nhiệt; tránh kéo giãn tấm hoặc để bụi bám lên bề mặt. Không nén quá 50% chiều dày để tránh tạo lực ép lớn lên mối hàn linh kiện.
Độ dẫn nhiệt cao chưa chắc tốt nhất: với khe hở lớn, một tấm mềm hơn nhưng nén được nhiều thường cho trở nhiệt tổng thấp hơn.
Liên hệ đội ngũ kỹ thuật AMS Việt Nam để được tư vấn chọn cấp dẫn nhiệt, bế theo bản vẽ và nhận mẫu thử nghiệm nhiệt.
| Loại sản phẩm | Tấm đệm dẫn nhiệt (gap pad) |
| Thương hiệu | Bergquist |
| Gốc hóa học | Silicone độn gốm dẫn nhiệt |
| Màu sắc | Xám, hồng, xanh tùy cấp dẫn nhiệt |
| Số thành phần | 1 (dạng tấm) |
| Độ dẫn nhiệt | 1,5–6 W/m·K |
| Độ dày | 0,5–5 mm |
| Độ cứng | 30–60 Shore 00 |
| Tỷ trọng | 2,9–3,2 g/cm³ |
| Điện áp đánh thủng | trên 6 kV/mm |
| Điện trở suất khối | 1×10¹² Ω·m |
| Nhiệt độ tối đa | 200 °C |
| Nhiệt độ tối thiểu | -60 °C |
| Tiêu chuẩn | RoHS, REACH, UL 94 V-0 |

Để lại thông tin, đội ngũ AMS sẽ liên hệ tư vấn và gửi báo giá trong thời gian sớm nhất.